探讨电力电子系统的中国芯 ——氮化镓宽禁带半导体器件发展及技术成果应用研讨会 暨朗迅科技第一届微电子专业人才培养高峰论坛
栏目:公司动态 发布时间:2017-04-26

   本报讯 422日由西安电子科技大学主办,杭州朗迅科技有限公司承办,科学技术部高技术研究发展中心指导的“探讨电力电子系统的中国芯—氮化镓宽禁带半导体器件的发展及技术成果研讨会,暨一体化新态势微电子专业人才培养高峰论坛”在杭州滨江海外高层次人才创新创业基地北楼2F会议中心顺利开展。

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   我国著名微电子学专家、中国科学院院士郝跃,中科院苏州纳米所徐科研究员、南京大学陆海教授、西安电子科技大学张进成教授、北京大学王茂俊教授、中科院微电子所康玄武研究员,杭州朗迅科技有限公司徐振总经理、方建平博士以及全国多所高职院校代表等50余位专家、学者、校企代表均出席了此次会议。

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   上午9时,会议正式开始,会议由方建平博士主持,伊始由杭州朗迅科技有限公司总经理徐振致开场词,致辞中强调通过加强氮化镓宽禁带半导体材料、器件及电力电子相关上下游产业链各个环节之间的沟通、交流、协作和资源共享,以进一步促进和推动我国自主的下一代电力电子技术产业的发展。同时,通过校企之间的学术交流,推动微电子行业专业人才的培养,促进中国微电子专业人才培养模式。

   随后,各位与会专家围绕氮化镓宽禁带半导体材料分别做高水平报告,涉及材料生长、衬垫外延、功率电力电子器件研发应用等诸多主题,其中中科院纳米所的徐科研究员中从GaN单晶材料的国内外进展、HVPE生长进展、同质外延电力电子器件研究应用等角度展开作《氮化镓单晶材料生长与应用进展》报告,陆海教授作《GaN功率电子器件的研究进展与技术挑战》报告,全面介绍了功率电子器件产品应用,包括电动汽车中的逆变器、充电器,智能电网中的智能终端器件,LED驱动的驱动器等等,并详细论证了GaN基材料用于功率电子器件领域的可行性。王茂俊教授在《3.4MV/cm Breakdown Field in Normailly-off GaN MOSFET with Electric Field Engineering》报告中介绍了GaN基材料外延技术的新进展、康玄武研究员的学术报告《1000V/0.75Ω增强型Si基GaN电力电子MIS-HEMT器件》表明其团队应用基于低损伤栅槽刻蚀、RPP界面预处理和LPCVD-SiN钝化等创新技术研制出1000V、0.7Ω高性能增强型Si基GaN MIS-HEMT器件,实现了稳定的低温接触,进一步推动大尺寸CMOS兼容技术,推进氮化镓店里嗲子产业迈出坚实的一步。最后,长江学者张进成教授的《耐高温GaN异质结构及其电子器件研究》主要针对GaN异质结构器件进行展开,指出Ⅲ族氮化物具有丰富的带隙和极化设计空间,可以形成具有更高功率密度、更高频率、更高结温耐受性能力,因此异质结构的改进将是未来GaN电子器件更新换代的主要技术途径。与会人员对每场报告内容都展开了激烈地讨论,例如GaN基材料在LED领域应用较之电力电子器件领域更早、更广的深层次原因,GaN基材料相关参数的目前研究程度等等。

下午会议开始,我国著名微电子学专家、中国科学院院士郝跃先生致辞,郝跃院士首先对上午各位学者专家的报告进行了总结,让与会者更深入地理解了GaN基材料在人们生产生活中的应用领域,包括发展较早的LED照明领域,微波领域(5G时代来临),电力电子器件领域,宽禁带半导体材料具有的功率大、频率高等优势使得其在未来应用中必将得到大范围推广,郝院士也强调了中国微电子专业人才培养模式的建立任重而道远,需要企业和学校密切合作,深刻交流。微电子行业的发展、技术的发展,企业和学校的角色缺一不可。

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紧接着最为隆重的聘任仪式开始,杭州朗迅科技有限公司聘任郝跃院士为朗迅科技首席科学家,聘任张进成教授为朗迅科技技术委员会主任。这是加强校企合作,促进微电子行业发展的里程碑式的举动。

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 随后,朗迅科技徐振总经理引导各位专家参观了朗迅科技芯片测试生产线以及朗迅科技自主研发产品展,包括LK8810 IC测试教学平台,LK-SmartHome 智慧之家实训平台,LK3254智能蓝牙音箱,芯片工艺VR教育项目等,各位专家给予了充分的肯定,并期许朗迅科技在微电子教育领域有更多的建树。

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  最后,以上面学术报告和研讨会为契机,对中国微电子专业人才培养模式进行了深刻的交流和探讨。大家纷纷为建立研究生、本科、大专的成熟垂直体系建言献策。

至此,本次研讨会完满结束。此次会议通过对我国禁宽带半导体材料、器件及应用技术产业发展的思路进行探讨,为政府决策建言献策,为企业的发展出谋划策,积极推动了我国宽禁带半导体材料、器件以及应用技术产业的发展。同时,促进了校企之间的合作和交流,为我国微电子专业人才培养模式建立奠定了坚实的基础。


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