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LK10N60F

LK10N60F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

LK10N60F  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

特点

* 10A,600V,RDS(on)(典型值)=0.75Ω@VGS=10V

* 低栅极电荷量

* 低反向传输电容

* 开关速度快

* 提升了dv/dt 能力

应用

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

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