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LK 7N65F

LK 7N65F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

描述

LK 7N65F  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

特点

* 7A,650V,RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V

* 低栅极电荷量

* 低反向传输电容

* 开关速度快

* 提升了dv/dt 能力

应用

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

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