描述
LK 7N65F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特点
* 7A,650V,RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V
* 低栅极电荷量
* 低反向传输电容
* 开关速度快
* 提升了dv/dt 能力
应用
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。