描述

LK 7N65F  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

特点

* 7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V

* 低栅极电荷量

* 低反向传输电容

* 开关速度快

* 提升了dv/dt 能力

应用

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。